타워세미컨덕터는 2026년 7월 14일 화요일 일본 내 300mm 실리콘 포토닉스(SiPho)와 실리콘 게르마늄(SiGe) 생산능력을 늘리는 전략적 사업계획을 발표했다. 대상은 도야마현 우오즈의 Fab 7과 니가타현 묘코의 아라이 공장이다. 회사는 AI 데이터센터와 차세대 광연결 수요에 대응하기 위해 연구개발·제조·첨단 패키징 기반을 함께 확충한다고 설명했다.
총사업규모는 일본 정부의 최대 약 1600억엔 지원을 포함해 6000억엔을 넘을 전망이다. 타워세미컨덕터가 지원금을 고려한 순액 기준으로 투입할 금액은 최대 30억달러다. 두 수치는 서로 다른 기준이므로, 6000억엔 전체를 회사의 자체 투자액이나 확정 집행액으로 보면 안 된다.
1단계에서는 묘코 아라이 공장을 300mm SiPho와 첨단 패키징 플랫폼으로 활용하고, 우오즈 Fab 7의 기존 300mm 생산능력을 최대한 사용한다. 회사가 제시한 목표는 2027년 4분기 안에 양산능력을 갖추는 것이다. 이는 2027년 5월 공급 개시가 아니라 분기 단위의 회사 전망이다.
2단계는 관련 계약의 체결과 거래 종결을 전제로 우오즈 Fab 7 인접 부지에 새 300mm 제조시설을 짓는 계획이다. 새 시설은 SiPho와 SiGe 생산능력을 확대하도록 설계되며, 회사는 2029년 이후 높은 매출 기여를 기대한다고 밝혔다. 계약과 건설이 남아 있어 일정과 사업규모가 확정됐다고 단정할 단계는 아니다.
| 구분 | 주요 거점 | 핵심 내용 | 발표상 일정·조건 |
|---|---|---|---|
| 1단계 | 묘코 아라이·우오즈 Fab 7 | 300mm SiPho·첨단 패키징, 기존 300mm 역량 활용 | 2027년 4분기 양산능력 확립 목표 |
| 2단계 | 우오즈 Fab 7 인접 부지 | 신규 300mm 시설, SiPho·SiGe 생산 확대 | 계약·종결 전제, 2029년 이후 매출 기여 전망 |
자료: STORIUM 정리
SiPho는 칩 내부와 데이터센터 장비 사이의 광신호 처리를 고도화하는 데 쓰이고, SiGe는 고주파·고속 아날로그 회로에 활용된다. 타워세미컨덕터는 두 기술과 광패키징을 한 생산기반에 묶어 AI·데이터센터용 광반도체 공급을 확대하겠다는 구상이다. 발표는 자율주행 통신망 정책과 별개의 회사 사업계획이며, 두 사안을 직접적인 인과관계로 연결할 근거는 제시되지 않았다.
이번 발표는 공장 완공이나 양산 개시 실적이 아니라 향후 투자를 알린 계획이다. 정부 지원액은 ‘최대’ 기준이고, 2단계는 계약과 종결 조건을 충족해야 진행된다. 실제 집행액과 생산능력, 고객 수요, 2027년 양산 준비와 2029년 이후 매출 기여는 후속 계약·건설·실적 공시를 통해 확인할 사안이다.
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