SK하이닉스 HBM4E 12단 샘플 조기 출하…최태원 회장, 머스크와 AI 동맹 추진

SK하이닉스가 당초 하반기 출하 예정이었던 차세대 7세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 주요 고객사에 선제 공급하기 시작했다. 이와 동시에 최태원 SK그룹 회장은 이르면 이달 말 미국에서 일론 머스크 테슬라 CEO와 회동해 자율주행·AI 인프라 분야의 포괄적 협력 방안을 논의할 예정이다. AI 가속기 수요가 폭발적으로 늘어나는 현 시점에서 기술 초격차와 최고위급 파트너십을 동시에 강화하는 행보다.

이번에 공급된 HBM4E 12단 제품은 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 전 세대 대비 20% 이상 개선했다. 12단 48GB 대용량을 실현하면서도 열 저항을 전작 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서의 안정적인 열 관리를 보장한다. 제조 공정에서는 SK하이닉스의 독자 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 고도화해 반도체 칩 적층 후 칩 사이 회로 보호재를 주입·경화하는 방식으로 구조적 안정성을 확보했다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 밝혔다.

최태원 회장의 머스크 회동 의제는 단순 메모리 공급 계약을 넘어 광범위한 협력을 아우를 전망이다. 테슬라가 개발 중인 차세대 자율주행 칩 AI5 시리즈에 최적화된 HBM 공급 안정성과 스페이스X의 우주 항공용 스토리지 부품 협력이 주된 의제가 될 것으로 알려졌다. xAI 데이터센터 증설 물량 확보와 전력망 에너지저장장치 분야의 인프라 연계 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 엔비디아에 집중된 공급 구조를 다변화하는 전략을 꾸준히 취해왔다.

이번 HBM4E 조기 출하가 시장에 던지는 메시지는 분명하다. 삼성전자와 마이크론의 HBM 추격이 강화되는 상황에서, 차세대 규격을 경쟁자보다 먼저 고객사에 실증하는 것이 수주 협상력을 결정적으로 높이기 때문이다. 삼성전자는 HBM3E에서 수율 문제로 엔비디아 인증이 지연된 전례가 있고, 마이크론은 DRAM 제조 역량을 바탕으로 HBM 시장 점유율을 지속적으로 끌어올리고 있다. SK하이닉스의 다음 과제는 HBM4E 샘플 공급에서 양산으로의 전환 속도와 수율이다. AI 인프라 투자가 정점을 향해 가는 현 시점에서, 차세대 HBM 기술 격전은 단순한 메모리 부품 경쟁을 넘어 AI 시대 핵심 인프라의 주도권을 누가 쥐느냐는 문제로 확장되고 있다.

한국 반도체 산업 전체의 관점에서도 이번 흐름은 중요한 지점을 시사한다. AI 메모리 시장에서의 기술 우위가 단순 제조 경쟁력에서 설계·시스템 통합 역량으로 이동하는 전환기에, 국내 소·부·장(소재·부품·장비) 생태계가 HBM 고도화를 따라갈 수 있는지가 동반 성장의 관건이 된다. 낙관적 시각에서 보면, SK하이닉스는 엔비디아, TSMC, 테슬라·머스크까지 포함하는 AI 인프라 최상위 생태계와의 연결망을 촘촘하게 엮어가고 있다. 반면 미국·중국 기술 패권 갈등 속에서 한국 반도체 기업이 미국 기업과 밀착 협력을 강화할수록 지정학적 리스크에 더 깊이 노출될 수 있다는 우려도 있다.