삼성전자가 1.4나노미터(SF1.4) 파운드리 공정을 2029년 양산하겠다는 로드맵을 공개했다. 신종신 삼성전자 파운드리사업부 DP개발실 부사장은 7월 1일 열린 ‘SAFE 포럼 2026’ 기조연설에서 이 같은 계획을 밝혔으며, 개선판인 SF1.4플러스는 2030년 출시될 예정이다. 앞서 2나노 공정은 SF2에서 시작해 SF2P, SF2P플러스를 거쳐 2027~2028년 양산이 목표인 SF2X로 이어지는 단계적 개선 경로를 밟는다. 신 부사장은 SF2에서 SF2P로 전환하면서 전력은 26%, 주파수는 15% 개선됐으며 이 개선 효과의 절반 이상이 설계·공정 동시 최적화(DTCO)에서 나왔다고 설명했다.
경쟁사들도 초미세 공정 개발에 속도를 내고 있다. TSMC는 1.4나노급인 A14 공정을 2028년 양산하고, 2029년에는 1나노 이하 공정의 시험생산에 나설 계획이다. 인텔은 14A 공정을 2028년 리스크 생산한 뒤 2029년 본격 양산을 목표로 잡고 있다. 삼성전자의 1.4나노 양산 시점이 두 경쟁사보다 다소 늦은 셈이지만, 격차를 좁히기 위한 기술 개발이 이어지고 있다.
AI 반도체 분야에서도 삼성전자의 행보가 눈에 띈다. 회사는 HBM4 베이스다이를 4나노(SF4X) 공정으로 개발 중이며 최대 11.7Gbps의 안정적 동작을 확인했다고 밝혔다. AI 칩 수요가 몰리면서 4나노 생산라인은 사실상 풀가동 상태인 것으로 전해졌다. 미국 텍사스 테일러 공장에서는 테슬라의 AI 칩을 2나노 공정으로 생산할 계획이며, 연내 가동이 예정돼 있다. 앞서 낸드플래시 시장에서 점유율 1위를 지켜온 삼성전자가 파운드리에서도 AI 수요에 대응한 공정 투자를 이어가는 모습이다.
다만 시장 점유율에서는 아직 격차가 크다. 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 ‘파운드리 2.0’ 시장에서 TSMC는 38%로 1위를 지킨 반면 삼성전자는 4%에 그쳤다. 한진만 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 2028년 흑자 전환 가능성을 언급한 것으로 전해졌다. 초미세 공정 경쟁이 격화되는 가운데 AI 칩 수요를 흡수할 수 있는 기술력과 수율 확보가 삼성전자 파운드리 사업의 관건으로 꼽힌다.
